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高速脈沖大電流發(fā)生器5kA的產(chǎn)品介紹

更新時間:2025-10-20      點擊次數(shù):79

       在GJB8848標準中,針對電磁脈沖試驗方法,標準給出了三種試驗方法,包括:威脅級輻照試驗方法,PCI注入試驗方法,以及CW輻照試驗方法。一般主要采用威脅級輻照試驗方法(即EMP有界波或者水平極化試驗),當系統(tǒng)外部天線或者電纜無法進行威脅級輻照試驗時,則應對外部天線或電纜進行PCI注入試驗。PCI注入試驗容易產(chǎn)生更大的威脅級傳導電流。本電源設計目的為進行系統(tǒng)級電磁脈沖效應外部電纜和天線等進行大電流注入,滿足GJB8848所述的測試需求。

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技術參數(shù)
3CEMP - PCI - 2 kA
短路電流20 A - 2000 A連續(xù)可調
輸出電壓140 kV
脈沖源內(nèi)阻≥ 60 Ω
脈沖電流前沿時間≤ 20 ns
脈沖電流半寬時間500 ns - 550 ns
3CEMP - PCI - 5 kA
短路電流100 A - 5000 A連續(xù)可調
輸出電壓300 kV
脈沖源內(nèi)阻≥ 60 Ω
脈沖電流前沿時間≤ 20 ns
脈沖電流半寬時間500 ns - 550 ns
工作電源

AC 110 / 220 V,±10%,

50 - 60 Hz

(內(nèi)地地區(qū)默認AC220V)
機箱尺寸21英寸,35U
儀器重量約136 kg
溫度范圍15℃ - 35℃
相對濕度45% - 75% (無凝露)


























       干擾脈沖會引起存儲器數(shù)據(jù)丟失,傳輸數(shù)據(jù)出錯,設備功能紊亂,誤觸發(fā),設備工作性能降低、重新啟動,以及暫時停止工作等問題。能量太高時,產(chǎn)生功能損壞,破壞主要是針對半導體器件與集成電路芯片,包括部件或回路間的高壓電擊穿、半導體 PN 結或器件燒毀、氧化層介質擊穿、集成電路燒毀,造成毀滅性的物理損傷,以避免其它電子設備遭受電磁脈沖擾動或損環(huán)。

(1)3CEMP - PCI - 2 kA

       短路電流:20 A - 2000 A連續(xù)可調

       輸出電壓:140 kV

       脈沖源內(nèi)阻:≥ 60 Ω

       脈沖電流前沿時間:≤ 20 ns

       脈沖電流半寬時間:500 ns - 550 ns

(2)3CEMP - PCI - 5 kA:

       短路電流:100 A - 5000 A連續(xù)可調

       輸出電壓:300 kV

       脈沖源內(nèi)阻:≥ 60 Ω

       脈沖電流前沿時間:≤ 20 ns

       脈沖電流半寬時間:500 ns - 550 ns

(3)AD-EMP/PCI/20/550-80kV/1kA

       輸出電壓峰值:10kV - 80kV

       輸出電流峰值:0.1kA - 1kA

       源阻抗:≥60Ω

       前沿時間:≤20ns

       半寬值:500ns-550ns

       重復頻率:2分鐘

       絕緣方式:絕緣油


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